Semiconductor Patents
Semiconductor manufacturing, packaging and IC design patents
一种半导体激光器及其制备方法、控制方法
本发明公开一种半导体激光器及其制备方法、控制方法，属于半导体光电子技术领域。器件仅设单一光学谐振腔，由衬底、底部反射镜、多结有源增益结构、腔内光学调制器、顶部反射镜层叠而成，配备底部、中间、顶部三端电极。多结有源区包含至少两组隧道结串联的增益结，可大幅提升腔内增益，补偿调制器引入的额外损耗；腔内光学调制器可选半导体电吸收或石墨烯调制结构，可布置在有源区两侧或嵌入反射镜中。器件采用恒压驱动有源区稳定
半导体结构及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制备方法，该制备方法包括：在半导体衬底的表面沉积半导体牺牲层，所述半导体牺牲层中空位的形成能低于所述半导体衬底中空位的形成能；对所述半导体衬底进行预非晶化注入，以在所述半导体衬底中形成非晶区；对所述半导体衬底进行第一退火；去除所述半导体牺牲层。在第一退火过程中非晶区中的部分空位由半导体衬底向形成能更低的半导体牺牲层迁移，迁移至半导体牺牲层中的空位
半导体器件的制备方法、电子设备
本申请涉及一种半导体器件的制备方法、电子设备，器件包括：提供衬底；于衬底内形成多个掺杂柱，以及与掺杂柱侧壁相接触，交替排列的第一基区，第二基区；其中，第一基区的宽度大于第二基区，等于相邻掺杂柱的间距；形成贯穿第一基区、第二基区的栅沟槽；栅沟槽沿第一方向延伸至部分嵌入掺杂柱；于栅沟槽内形成栅极结构；栅极结构顶面高于衬底的顶面，且包括沿第二方向间隔布设，覆盖第二基区的导电部；形成覆盖栅极结构的层间介电
一种半导体封装装置及封装方法
本发明涉及半导体芯片封装技术领域，公开了一种半导体封装装置及封装方法，通过离心转台带动芯片组件转动，利用离心力使填充腔内的半固态导热膏平铺于散热盖内壁，同时配合装配板绕铰链的角度调节，使导热膏外铺面平行于芯片接触面并包裹接触面及部分相邻侧壁，使得导热膏在封闭填充腔内以预设形状均匀分布，内部气泡在离心力作用下有效排出，保证了导热膏填充的无气泡状态。现有散热盖与芯片的封装过程缺乏对导热膏内气泡的形成进
基于视觉特征的半导体供液柜内漏液应急检测方法
本发明公开了基于视觉特征的半导体供液柜内漏液应急检测方法，具体涉及半导体生产设备安全监测技术领域，包括以下步骤：获取半导体供液柜的内部结构信息，并根据供液柜内部的管路、管路接头、泵体、阀门、过滤器、储液容器、柜体底板及排液区域建立多个视觉检测区域；通过设置于所述供液柜内部的图像采集装置采集各视觉检测区域的检测图像。本发明通过综合分析液滴、液膜、液流、反光边界及运动轨迹等视觉特征，实现对供液柜内微小
用于高温半导体电阻测试的恒温加压测试装置及测试方法
本发明公开了一种用于高温半导体电阻测试的恒温加压测试装置及测试方法，包括温箱本体、设置于温箱本体内部的加高支架、用于接触测试器件焊盘的加长耐高温探针杆、设置于温箱本体外部的探针台固定装置、摄像头、照明装置、压力计和三轴移动平台；温箱本体顶部设有T型槽，探针杆和压力杆经T型槽伸入温箱内部，摄像头用于观察待测器件、探针和压力杆的相对位置。温箱本体内部设有温度传感器、加热模块和负反馈温度控制模块，内表层
稀土改性塑封料及光纤式原位测温功率半导体器件
本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种稀土改性塑封料及光纤式原位测温功率半导体器件。本发明的稀土改性塑封料通过添加少量稀土荧光材料，保持了原有环氧塑封料的绝缘性能与力学性能，不会额外占用封装空间；荧光传感层直接设置在芯片表面，能够精准反映芯片工作时的真实结温，搭配外露的光纤输出光信号，可实现不破坏封装结构的非接触式原位测温，不存在高压工况下的绝缘风险。本发明无需改动原有功率半导体器件的核心
树脂组合物、片状组合物、片固化物、叠层体、叠层构件、晶片保持体及半导体制造装置
本发明的目的是提供能够制造耐热性优异、弹性模量低、以单层将基材的热膨胀差缓和而能够密合、追随的静电卡盘用粘接片的树脂组合物。本发明是一种树脂组合物，其包含(A)聚合物以及(B)热固性树脂，所述(A)聚合物选自具有特定结构的二胺的残基(以下，二胺残基(1))和特定结构的酸酐的残基(以下，酸酐残基(2))的、聚酰亚胺和聚酰胺酸。
承载结构及半导体工艺腔室
本申请公开了一种承载结构及半导体工艺腔室，涉及半导体领域。一种承载结构，包括：第一壳体和第二壳体；所述第一壳体与所述第二壳体扣合连接，围成用于容纳晶圆的容纳腔；所述第一壳体具有背离所述第二壳体的第一壁面，所述第一壁面设有多个第一凹槽；和/或，所述第二壳体具有背离所述第一壳体的第二壁面，所述第二壁面设有多个第二凹槽。本申请至少能够解决晶圆加热效率低等问题。
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；器件金属层，包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均包括梳柄部以及与梳柄部相连的多个梳齿部，第一电极和第二电极的梳柄部沿第二方向延伸且在第一方向上相背设置，多个梳齿部沿第一方向延伸且沿第二方向并列排布；信号加载线，沿第一方向分别位于器件金属层两侧，信号加载线分别与第一电极和第二电极的梳柄部电连接，信号加载线包括沿用于加载信号的加载端，信号加载线
半导体装置及其制备方法、半导体封装结构、电子设备
本申请实施方式提供一种半导体装置及其制备方法、半导体封装结构、电子设备。其中，该装置包括衬底和垂直沟道晶体管，垂直沟道晶体管设置在衬底上，垂直沟道晶体管包括源极、漏极、栅极和沟道层；栅极至少包括第一功函数金属层和第二功函数金属层；其中，沟道层沿垂直于衬底方向上延伸，且源极和漏极分别设置在沟道层延伸方向上的两端；在平行于衬底方向上，第一功函数金属层环绕沟道层设置，第二功函数金属层环绕沟道层设置，且第
被配置为制造半导体器件的电子装置的操作方法
一种被配置为制造半导体器件的电子装置的操作方法，该操作方法包括：接收半导体器件的图像；通过使用电子装置的第一模块处理图像以生成包括图像上第一点的第一未对准的信息的处理后的数据；以及通过使用电子装置的第二模块根据第一未对准的信息计算图像上第二点的第二未对准的信息，以生成数据集。数据集包括第一未对准的信息和第二未对准的信息。
半导体检测设备
本发明涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种半导体检测设备，半导体检测设备包括：检测仓；两个传输机构，传输机构的自由端具有用于承载晶圆的载具，传输机构用于带动相应载具旋转进而实现载具的倾斜调整，且传输机构还带动相应载具在相应交接工位与检测仓内的检测工位之间移动；其中，一个传输机构带动相应载具移动至检测工位以执行一个晶圆的光学形貌检测的同时，另一个传输机构带动相应载具移动至相应的交接工位以执行晶圆置换
半导体装置及其制造方法
一种半导体装置包括：栅极线，其在第一水平方向上彼此相邻并且各自在第二水平方向上延伸；源极/漏极区，其分别在第一水平方向上与栅极线相邻；背侧过孔接触件，其连接到在第二水平方向上彼此面对的一对源极/漏极区；背侧绝缘图案，其在竖直方向上与栅极线对准并且在第一水平方向上彼此间隔开；半导体块，其接触背侧绝缘图案的侧壁；以及器件隔离层，其覆盖背侧过孔接触件的侧壁，其中，背侧过孔接触件包括面对该一对源极/漏极区
半导体器件和制造半导体器件的方法
根据各个实施例，制造半导体器件的方法包括将第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构暴露于选择性沉积材料，其中，第一源极/漏极结构包括第一导电类型掺杂剂，并且第二源极/漏极结构包括第二导电类型掺杂剂，并且允许第一硅化物层形成在第一源极/漏极结构上，而由于选择性沉积材料的沉积选择性，在第二源极/漏极结构上不形成硅化物层。根据各个实施例，第一源极/漏极结构的高度和第一源极/漏极结构的宽度不同，并且第一源极
半导体器件及其制备方法
本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：在基板的上方制备保护层，保护层包括层叠设置的垫氧化层与阻挡层，垫氧化层包括待生长区域与牺牲区域；对阻挡层进行图案化处理形成具有第一窗口的图案化阻挡层，待生长区域通过第一窗口暴露，得到第一中间器件；在第一气体氛围下对第一中间器件进行热氧化处理，以使待生长区域外延生长，形成厚氧结构，得到第二中间器件，第二中间器件中厚氧结构一部分通过第一
聚焦环电压控制方法、装置及半导体工艺设备
本发明提供一种聚焦环电压控制方法、装置及半导体工艺设备，该方法包括：响应于向下电极加载射频信号的控制指令，基于采样周期执行采样流程；每一个采样周期中包括依次执行的采样阶段和施加阶段；在采样阶段控制用于向聚焦环加载电压的直流电源关闭，并对聚焦环的电压进行采样，获得采样电压，且根据采样电压获得目标电压；在施加阶段控制直流电源向聚焦环加载的电压等于目标电压；采集聚焦环的实际电压，比较实际电压与目标电压；
一种碳化硅复合衬底及其制备方法和半导体器件
本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种碳化硅复合衬底及其制备方法和半导体器件。一种碳化硅复合衬底，包括碳化硅衬底、硅碳界面过渡层和金刚石层；碳化硅衬底表面设置有第一图形化区域和第二图形化区域；硅碳界面过渡层为硅纳米层和碳纳米层的复合层，硅纳米层分布于第二图形化区域，碳纳米层分布于第一图形化区域以及硅纳米层的表面。本发明的碳化硅复合衬底，碳化硅衬底的碳极性的界面与硅层可形成C‑Si‑C键，硅
半导体结构及其制备方法
本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，结构包括：阱区组，经由衬底的第一表面向内延伸，包括沿第一方向间隔设置，沿第二方向延伸的第一阱区，以及沿第二方向间隔设置，连接相邻第一阱区的第二阱区；其中，第一阱区、第二阱区内包括基区，以及顶面在基区顶面内的源区；掺杂区，位于第二阱区内，经由第一表面贯穿源区，并向衬底内延伸，用于形成欧姆接触；复合栅，沿朝向衬底的方向贯穿第一阱区，包括：位于相邻掺杂区之间的第一栅
半导体装置以及电力转换装置
冷却器（3）具有第一主面（31）。接合材料（7）设置于第一主面（31）上。在第一主面（31）上设有槽（90）。沿着从接合材料（7）朝向第一主面（31）的第一方向（101）观察时，槽（90）的一部分设置于紧固部（5）与接合材料（7）之间。冷却器（3）具有被紧固区域（50）。在从被紧固区域（50）以最短的方式朝向接合材料（7）的第二方向（102）上，在将槽（90）与接合材料（7）之间的距离设为第一距离