硅电容及其制作方法、电子器件

本公开提供了一种硅电容及其制作方法、电子器件，制作方法包括：获获取初始多层薄膜硅电容；基于初始多层薄膜硅电容得到多层深沟槽硅电容，基于多层深沟槽硅电容制作得到目标多层薄膜硅电容；相比于传统的单次只能蚀刻一个电极层和介质层，需形成台阶结构的多层硅电容制作方法，本公开硅电容的介质层层数不受限制，且每层介质层的面积得到有效提升，显著提升了多层薄膜硅电容的电容密度，且在一次刻蚀过程中可以同时刻蚀全部的电极层和介质层，在提升多层薄膜硅电容的电容密度的同时降低了制作成本，简化蚀刻工艺步骤，提高电容器的制作效率。