一种脉冲电调控选择性氧化或刻蚀半导体材料的方法

本发明涉及一种脉冲电调控选择性氧化或刻蚀半导体材料的方法，属于原子及近原子尺度极端制造领域，其先控制腔体内的湿度，之后通过xy轴电机运动平台将工件移动到待刻蚀位置，并通过z轴电机运动平台和xyz轴压电陶瓷扫描管将探针进给到工件表面，最后通过脉冲信号发生器在工件与探针之间施加脉冲电压，控制施加正脉冲电压或负脉冲电压，在工件表面选择性地氧化或刻蚀材料，同时通过xyz轴压电陶瓷扫描管控制探针微动，实现工件表面任意区域的氧化或刻蚀。本发明实现氧化和刻蚀反应的空间与时间维度精确可控，同时获得原子及近原子级精度、边界清晰、无亚表面损伤的氧化和刻蚀图案的优势、环境友好、成本低、探针使用寿命长。