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Dossier

一种半导体器件及其制造方法、电子装置

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11Claims · 3 independent
§ Ⅰ

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IPC Classification

H10P 76/20 (2026.01)H10P 50/66 (2026.01)G03F 7/38 (2006.01)

提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置,方法包括:提供前端器件,前端器件的表面上形成有空腔;在形成有空腔的前端器件的表面上形成第一光刻胶层;将前端器件放置于加热装置中,并使加热装置进行阶梯式升温以加热第一光刻胶层;对第一光刻胶层进行曝光,并对曝光后的第一光刻胶层进行显影以图形化第一光刻胶层。本发明方案中通过在加热第一光刻胶层时使加热装置进行阶梯式升温,能够减缓空腔内气体受热膨胀的速率,使得空腔内部的气体能够缓慢渗透出第一光刻胶层,降低气体对第一光刻胶层的影响,能够避免发生爆胶现象,提高了产品性能和良率。

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