一种具有微凸峰-纳米线阵列结构的柔性自愈电极及其制备方法和应用

本发明涉及柔性电子器件技术领域，特别是涉及一种具有微凸峰‑纳米线阵列结构的柔性自愈电极及其制备方法和应用。该方法包括下列步骤：提供具有微结构的柔性基底；依次进行酸蚀处理、热处理、氧等离子体处理和聚合物溶液处理；在经上述处理的柔性基底表面形成金属纳米线阵列；在金属纳米线阵列表面形成液态金属层，得到芯层；按照第一封装层、芯层、第二封装层的顺序进行层压贴合封装，得到具有微凸峰‑纳米线阵列结构的柔性自愈电极。本发明利用液态金属优异的室温流动性和高导电性，并结合微凸峰‑纳米线阵列结构所提供的毛细作用与储液空间，实现了无需外部干预的高效自愈合，显著提升了器件在长期、动态工作环境下的可靠性。