铜掺杂的碲化铋拓扑绝缘体锂硫电池隔膜材料及其制备方法

本发明提供一种铜掺杂的碲化铋拓扑绝缘体锂硫电池隔膜材料及其制备方法，化学式为BiCuTe；其中Cu的掺杂量x小于10％。本发明中通过Cu掺杂改变了BiTe表面的拓扑结构，提高表面的载流子浓度，同时作为锂硫电池的电池隔膜材料时，Cu掺杂会引发产生晶体缺陷，从而暴露更多位点，且Cu与硫物种可形成Cu‑S键，因而显著增强了碲化铋对多硫化物得捕获能力，Cu的引入提升了BiTe对多硫化物转化的催化活性，改善离子电导率，从而提高锂硫电池的充放电性能。