一种纳米晶(HfTaTiZr)C高熵碳化物粉体及其制备方法

本发明涉及先进陶瓷材料制备技术领域，尤其是涉及一种纳米晶(HfTaTiZr)C高熵碳化物粉体及其制备方法，包括以下步骤：称取Hf源、Ta源、Ti源和Zr源，进行高能球磨，得到高熵合金前驱体；向高熵合金前驱体中加入碳源，继续进行高能球磨，得到纳米高熵碳化物粉体；向纳米高熵碳化物粉体中加入有机溶剂进行超声清洗，取上清液，低温烘干，得到纳米晶(HfTaTiZr)C高熵碳化物粉体。其中，第一步高能球磨不加碳，在低温下金属合金化，防止成分偏析，同时增加缺陷，有效降低扩散激活能；第二步高能球磨加碳，低温下碳扩散进入单相固溶体内，直接形成单相高熵碳化物。因此，本发明在较温和条件下即可获得成分分布均匀的纳米高熵碳化物粉体。