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Dossier

制造方法

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§ Ⅰ

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IPC Classification

C01B 33/02 (2006.01)

在无客体硅包合物的制造中提高客体脱离的处理速度。无客体硅包合物的制造方法包括:第一工序,通过对作为成为主体的材料的Si及客体进行热处理来合成硅包合化合物;作为用于使客体从硅包合物脱离的工序的第二工序,在对收容有硅包合物的容器的内部进行了真空抽吸的状态下,对收容于容器的硅包合物进行加热;以及第三工序,在向容器的内部供给惰性气体后,对容器的内部的气体进行吸引。

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