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Dossier
降低重掺杂单晶硅棒滑移线发生率的方法及单晶硅棒
InventionActive
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Inventor
马吟霜; 张友海; 杨凯; 曹启刚; 芮阳; 伊冉; 万骞
IPC Classification
C30B 29/06 (2006.01)C30B 15/20 (2006.01)
本发明属于半导体材料加工技术领域,具体涉及一种降低重掺杂单晶硅棒滑移线发生率的方法及单晶硅棒,方法包括在单晶硅棒拉制完成后,基于冷却时长内,按预定速率降低功率,逐步降低加热器功率使单晶硅棒冷却,使单晶硅棒在冷却过程中缓慢释放热应力,从而降低滑移线的发生率。本申请按照一个预设的、缓慢的“预定功率降低速率”逐步降低加热器的功率;通过控制加热器的功率衰减,间接地控制了单晶硅棒所处的热场环境。加热器减缓了单晶硅棒向周围环境散热的速度,从而使单晶硅棒能够缓慢、均匀地冷却,最大限度地减小了硅棒内部与表面、上部与下部的温差,减小单晶硅棒受到的热应力,降低滑移线的发生率,提高单晶硅棒的平均良率、质量及性能。
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