Back to Search
Dossier
生长碳化硅晶体的热场装置
InventionActive
10Claims · 1 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
王旻峰
IPC Classification
C30B 35/00 (2006.01)C30B 29/36 (2006.01)
本申请公开了生长碳化硅晶体的热场装置,该热场装置包括:发热体,发热体包括籽晶固定件、导流筒和凸度调节件,导流筒和凸度调节件设置在籽晶固定件的下侧,且凸度调节件设置在导流筒的外侧;籽晶固定件朝向碳化硅晶体生长区的一侧设置有碳化硅籽晶;导流筒包括第一导流筒和第二导流筒,第一导流筒为直筒,第二导流筒为向下斜扩的锥形筒;凸度调节件包括第一凸度调节件和第二凸度调节件,第一凸度调节件为直筒,第二凸度调节件为向下收缩的锥形筒。本申请通过热场装置的设计可有效去除碳化硅晶体的生长小面,从而能有效降低碳化硅晶体中的位错聚集的风险,提高碳化硅晶体的品质。
External Resources