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Dossier

抗蚀剂膜成膜方法、抗蚀剂膜成膜装置以及存储介质

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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

志村悟; 吉原孝介; A·A·J·多安道尔费尔; 藤井宽之

IPC Classification

G03F 7/16 (2006.01)H10P 72/00 (2026.01)H10P 76/00 (2026.01)H10P 76/40 (2026.01)

本公开涉及一种抗蚀剂膜成膜方法、抗蚀剂膜成膜装置以及存储介质,在通过气体处理在基板形成抗蚀剂膜时提高处理效率。本公开的抗蚀剂膜成膜方法包括以下工序:成膜工序,将包括保存基板的处理容器内的处理空间的调整区域设为第二气氛,向所述第二气氛的所述处理空间供给含抗蚀剂成分气体来在所述基板形成抗蚀剂膜,所述第二气氛是与该调整区域的外侧的第一气氛相比低氧浓度和低湿度且压力为所述外侧的压力或该压力的附近的压力的气氛;以及加热工序,在被设为了所述第二气氛的所述处理空间对曝光前的形成有所述抗蚀剂膜的所述基板进行加热。

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