深沟槽硅电容器及其制备方法

本公开提供了一种深沟槽硅电容器及其制备方法。所述制备方法包括：在硅衬底上刻蚀形成若干个深沟槽，并交替沉积介质层和电极层，形成多层堆叠结构；在多层堆叠结构上位于深沟槽一侧的预设位置处进行刻蚀，形成第一接触孔；采用第一制备工艺对第一接触孔进行制备，以使第一接触孔中处于第一相对位置的不同电极层互联；在多层堆叠结构上位于深沟槽另一侧的预设位置处进行刻蚀，形成第二接触孔；采用第二制备工艺对第二接触孔进行制备，以使第二接触孔中处于第二相对位置的不同电极层互联，得到深沟槽硅电容器。本公开可以有效增加横向介质层的面积，提升深沟槽硅电容器的集成度和容值密度，且能够有效降低制作成本和工艺难度。