一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构

本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构。目前VDMOS器件的沟槽深宽比过大使得在屏蔽栅多晶硅间隙填充过程中，容易出现底填充孔隙及贯穿沟槽的缝隙，该缝隙导致在后续刻蚀工艺中，屏蔽栅多晶硅顶部常容易形成叉子状形貌。本发明对原始多晶硅层进行快速热退火，利用快速高温退火技术促进原始多晶硅层中的晶粒生长，消除多晶硅沉积过程中的孔隙和缝隙形貌缺陷，得到无缝隙、平整密实的大晶粒多晶硅层，使得后续对所述大晶粒多晶硅层进行回刻不会形成V型形貌，最终得到平整密实的屏蔽栅多晶硅层避免产生叉子状形貌，从而提升屏蔽栅附近的电场分布质量并提升VDMOS器件的性能与质量。