一种分子束外延异质基HgCdTe材料及其制备方法

本发明涉及半导体材料制造领域，具体是一种分子束外延异质基HgCdTe材料及其制备方法。本发明针对现有异质基HgCdTe分子束外延技术中的位错密度较高与Se原子扩散失控的双重缺陷，通过设计HgSe超晶格结构触发位错反应并进一步构建As掺杂HgTe扩散封锁层，最终使得所述分子束外延异质基HgCdTe材料能够满足高工作温度（≥150 K）红外探测器对低位错密度、零Se扩散及高稳定性的核心要求，解决了由于分子束外延异质基HgCdTe的位错密度较高而引发器件暗电流剧增和盲元率上升的问题以及含Se的外延结构Se扩散失控的问题。