电阻式存储单元及其制作方法

本发明涉及电阻式存储单元，包含基底；下电极层，设置于该基底上；切换层，设置于该下电极层上，以及上电极层，设定于该切换层上，其中，该切换层包含局部掺杂区。该局部掺杂区的组成不同于该局部掺杂区外的该切换层的组成。