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Dossier
一种提高晶圆凸块侧壁可靠性的方法
InventionActive
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
昆山日月同芯半导体有限公司
Inventor
毛志林; 胡明翊; 简永幸; 曹晓华
IPC Classification
H10W 72/20 (2026.01)
本发明属于芯片封装技术领域,特别的,属于一种提高晶圆凸块侧壁可靠性的方法。步骤:在晶圆上通过凸块工艺电镀凸块,凸块包括金层、镍层、铜层,铜层侧壁与镍层侧壁之间存在距离,该距离为裸露的间隔区域;在晶圆和凸块表面都涂布光刻胶,形成胶层一,胶层一包括胶层二和胶层三,铜层侧壁和间隔区域上的光刻胶为胶层二,胶层二之外的光刻胶为胶层三;使用空白光罩对整片晶圆表面进行曝光,对胶层三进行改性;曝光后对晶圆进行烘烤,将胶层二固化;显影去除胶层三,留下胶层二;对胶层二进行烘烤固化,最终在铜层侧壁保留一层光刻胶。本发明通过在铜层侧壁上使用光刻胶形成薄膜保护层,避免了铜直接接触空气中的水分和氧气。
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