SiC基板的制造方法、半导体装置的制造方法、SiC基板、及半导体装置

本发明是一种SiC基板的制造方法，其为SiC基板100的制造方法，其特征在于，包括：接合工序，其将使3C‑SiC层1a生长于硅基板1上而成的生长基板21的3C‑SiC层1a接合于作为支撑基板3的多晶SiC基板从而得到接合基板10；去除工序，其将硅基板1自接合基板10去除；及，热处理工序，其对去除工序后的接合基板10进一步进行热处理，并进行3C‑SiC层1a的相变，由此得到具有与热处理前不同的晶面取向的SiC层1b的SiC基板100。由此，可提供一种SiC基板的制造方法，其能兼具大口径化与各式各样多型的SiC。