一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法

本申请涉及半导体领域，主要涉及一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法。一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：对衬底进行预处理；制备Ga‑B合金；将所述Ga‑B合金覆盖于经过预处理的衬底；经排气、通气、控温，实现基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜的生长。本申请突破液态金属仅催化sp碳的局限，通过管式炉简易温控与常压环境，实现sp键合金刚石的低温合成，无需高温高压设备及复杂高真空系统，显著降低设备成本与工艺复杂度，为BDD薄膜的低成本、高性能制备提供了新路径。