存储器

本发明涉及一种存储器，每个存储单元包括：第一NMOS管，包括有源区和栅极，有源区连接控制栅端口；第二NMOS管，包括有源区和栅极，有源区连接TNU端口；第一PMOS管，包括第一有源区、第二有源区及栅极，第一有源区连接位线端口，第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极及第一PMOS管的栅极相互连接；选择晶体管，为PMOS管，包括第一有源区、第二有源区及栅极，选择晶体管的第一有源区连接选择线端口，选择晶体管的第二有源区与第一PMOS管的第二有源区连接，选择晶体管的栅极连接字线端口。本发明采用正负压设计，存储单元内的器件各自所需承受的最大电压降低至正电压设计的一半，且外围电路也可免去高压器件的设计，减小了外围电路的面积。