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Dossier

一种隔膜及其制备方法、二次电池和用电设备

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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

娄静雪; 宋正林; 肖子伟; 张萌; 何科峰; 陈三志

IPC Classification

H01M 50/40 (2021.01)H01M 50/409 (2021.01)H01M 50/457 (2021.01)H01M 50/449 (2021.01)H01M 50/414 (2021.01)H01M 50/403 (2021.01)H01M 10/0525 (2010.01)

本发明提供一种隔膜及其制备方法、二次电池和用电设备,包括基膜,所述基膜的厚度在沿所述基膜的中心至所述基膜的边缘的方向上的变化趋势满足:1×10≤β≤2×10,β=(H‑γ)/L;其中,H表示在所述基膜的中心至所述基膜的边缘之间的任意位置X的厚度,单位以μm计,L表示所述位置X至所述基膜的中心的距离,单位以cm计,γ为所述基膜的中心处的厚度,单位以μm计。本发明有助于改善隔膜在充放电过程中关于电流密度分布不均的相关问题。

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