磁阻式随机存取存储器布局结构

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器布局结构，其中每个存储单元包含一第一字线、一第三字线以及一第二字线依序间隔排列在基底上且往一第一方向延伸越过主动区域、一第一磁隧穿结位于半导体后段金属层中，且一端连接到第二主动区域而另一端连接到一第一位线、一第二磁隧穿结位于该半导体后段金属层中，且一端连接到第三主动区域而另一端连接到一第二位线，其中该第一位线与该第二位线位于该半导体后段金属层中的不同金属层级、以及一来源线连接到第一主动区域与第四主动区域。