一种复合沟道钝化介质的GaN高电子迁移率晶体管

本发明公开了一种复合沟道钝化介质的GaN高电子迁移率晶体管。该晶体管包括GaN HEMT完整外延结构、源极金属、漏极金属、复合沟道保护介质、栅极金属；所述的GaN HEMT完整外延结构包括：衬底、成核层及高阻缓冲层、沟道层和势垒层；所述复合沟道保护介质包括第一层介质氧化铝、第二层介质氮化硅。第二层介质氮化硅的开孔尺寸大，利用两种介质的刻蚀选择比，刻蚀停止在第一层介质氧化铝上；第一层介质氧化铝的开孔尺寸小，腐蚀停止在外延材料表面。两种介质呈阶梯状分布，之后制备栅金属，覆盖两层介质。本发明器件结构稳定性好，还可以调节器件应力及热膨胀系数，从而降低器件在高温高场等条件下工作时因应力及热膨胀系数失配造成的器件损伤及退化。