一种碳化硅基的自驱动窄带紫外探测器及其制备方法

本发明公开了一种碳化硅基自驱动窄带紫外探测器及其制备方法，属于光电子器件技术领域。该探测器包括从下至上依次垂直堆叠的N型4H‑SiC衬底、P型4H‑SiC外延层、AlO薄介质层、SnO薄膜层；具体制备过程为：先在N型4H‑SiC衬底上外延生长P型4H‑SiC层，再采用原子层沉积制备AlO薄介质层，随后在AlO薄介质层上通过电子束蒸镀SnO薄膜层。在SnO薄膜层顶部设置FTO电极，在N型4H‑SiC底部制备Cr/Au电极。基于FTO/SnO/AlO/P‑SiC/N‑SiC/Cr/Au异质结结构的探测器在零偏压（自驱动）条件下对326~354 nm波长的紫外光表现出显著的光电响应，响应波段半高宽约为10 nm，而在其他波段几乎无响应。本发明提出的SiC基异质结探测器不需要增加额外的滤波片和偏压下，就可以实现窄带的自驱动紫外探测器。