n型4H-SiC外延生长控制方法、装置、电子设备及存储介质

本发明提供了一种n型4H‑SiC外延生长控制方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体材料外延生长技术领域。该方法的步骤包括：在外延层生长阶段，通过氢气将预先存储在掺杂源输入部的甲基肼液体中的甲基肼分子带出并输入到反应室中，以使甲基肼作为n型掺杂源在衬底上生长外延层。本发明的方法旨在解决现有技术中，采用氮气作为n型掺杂源时掺杂浓度一致性差，以及采用氨气作为n型掺杂源时气路系统复杂、设备成本高、操作维护难度大且可能引入污染风险的问题，本发明采用甲基肼作为掺杂源能够简化气路和精准调控掺杂浓度，同时可以减少氮元素在生长环境中的残留，从而有效降低外延层内氮元素浓度的波动，进而实现稳定掺杂。