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Dossier

等离子体处理装置和基片支承器

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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

佐藤悠贵; 今桥拓巳; 及川翔; 熊谷裕贵; 中村圭吾; 石川学; 野村尚史

IPC Classification

H10P 50/24 (2026.01)H05H 1/46 (2006.01)

本发明的等离子体处理装置即使供给脉冲化的DC信号也抑制基座电位的变动。等离子体处理装置包括腔室、供给脉冲化的偏置DC信号的偏置电源、在腔室内支承基片和边缘环的基片支承器、以及电路径。基片支承器具有:由电介质形成的静电吸盘,其包括保持基片的第1区域、和设置在第1区域的周围并保持边缘环的第2区域的;设置在第1区域的内部的第1偏置电极;设置在第2区域的内部的第2偏置电极;支承静电吸盘的基座;以及具有连接在第2偏置电极与基座之间的第1可变电容器的第1阻抗调节机构。电路径具有:连接偏置电源、基座和第1偏置电极的第1电路径;以及连接偏置电源、基座、第1阻抗调节机构和第2偏置电极的第2电路径。

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