用于只读存储的自组装银纳米线阵列的制备方法及应用

本发明提出用于只读存储的自组装银纳米线阵列的制备方法及应用，属于金属纳米材料制备领域，解决传统自组装沉积银纳米线方法难以精确控制银纳米线的排列和结构，影响器件的整体性能，导致储存数据时存在写入和读取功耗高的问题，制备方法包括：将制备得到的制备银纳米线溶液进行超声处理，并用移液枪吸取适量溶液后，放入由基底和挡板组成的制备设备中产生多环模式咖啡环效应，得到均匀分布且具备高度规则的银纳米线阵，此外，本发明创新性地通过银纳米线之间的焊接实现数据存储，且仅通过施加电压即可使银纳米线之间熔接，从而降低电阻，实现数据存储，无需特殊的材料和结构，由于银纳米线阵列的高电阻，使得写入和读取数据所需的功耗低。