改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法

本发明涉及一种改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法，所属半导体制造技术领域，包括如下操作步骤：第一步：抛光布在修整前进行测布厚。第二步：判断上盘和下盘的抛光布厚度均匀性状态。第三步：对确定的目标抛光布进行针对性修整。第四步：在修整后的抛光设备上加工一枚硅片，并测量抛光硅片的厚度形貌图。第五步，根据抛光硅片的厚度形貌图，调整双面抛光的工艺参数，确认修整效果。第六步，使用调整后的工艺参数进行正式的半导体硅片产品加工。具有操作便捷、主动诊断、精准修整和闭环验证的特点。通过精确测量和修整抛光布的厚度均匀性，从物理根源上纠正了导致硅片厚度倾斜的关键因素，从而显著提升了双面抛光的加工精度和稳定性。