反应烧结碳化硅陶瓷表面微小孔缺陷修复方法及反应烧结碳化硅陶瓷

本发明公开了一种反应烧结碳化硅陶瓷表面微小孔缺陷修复方法及反应烧结碳化硅陶瓷，属于碳化硅陶瓷技术领域。本发明的修复方法包括：碳化硅陶瓷导电化烧结处理和微小孔缺陷修复步骤，首先将金属硅填充到碳化硅晶粒之间形成一种SiC/Si复合的反应烧结碳化硅陶瓷，使传统不导电的碳化硅陶瓷获得导电性，从而使碳化硅陶瓷具有直接刷镀的特性，接着通过刷镀对反应烧结碳化硅陶瓷表面的微小孔缺陷进行修补，实现了反应烧结碳化硅陶瓷表面微小孔缺陷的精准填充，整个修补过程在常温条件下进行，从根本上避免了因二次高温处理所引起的基体力学性能下降和热致裂纹风险。