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Dossier

薄膜的制备方法及半导体制造设备

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10Claims · 2 independent
§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

梁安阁; 王武杰

IPC Classification

C23C 16/04 (2006.01)H10P 14/69 (2026.01)H10P 14/692 (2026.01)H10P 14/694 (2026.01)H10P 72/00 (2026.01)C23C 16/455 (2006.01)C23C 16/56 (2006.01)

一种薄膜的制备方法及半导体制造设备,方法包括:在反应腔室内,提供处理件,处理件具有开口;对处理件进行一次或多次工艺周期,在开口中以及处理件的表面形成薄膜,工艺周期包括:对处理件进行一次或多次沉积处理,使用卤族前驱体在开口的内壁以及处理件的表面形成薄膜材料层;使用与沉积处理相同的卤族前驱体对薄膜材料层进行一次或多次原位刻蚀处理,将开口内壁以及处理表面剩余的薄膜材料层作为子薄膜;将一次或多次工艺周期形成的一层或多层子薄膜作为薄膜。沉积处理和原位刻蚀处理使用相同的卤族前驱体在单一反应腔室内形成薄膜,能够在减少工艺步骤和工艺成本的同时,降低对其他膜层造成损伤的风险,提高薄膜的形成质量。

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