CNIPA.AI
Back to Search
Dossier

具有纳米多孔结构的CuSn/CuSn复合电极及其制备方法和应用

InventionActive
5Claims · 2 independent
§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

郎兴友; 李青洲; 赵欣欣; 韩丽平; 时航; 韩高峰; 王同辉; 蒋青

IPC Classification

C23F 1/36 (2006.01)C23F 1/44 (2006.01)C22C 3/00 (2006.01)C22C 1/08 (2006.01)C22C 13/00 (2006.01)H01M 4/38 (2006.01)H01M 4/62 (2006.01)H01M 10/36 (2010.01)

本发明提供一种具有纳米多孔结构的CuSn/CuSn复合电极及其制备方法和应用。制备方法包括:除去铜、锡金属片和铝金属丝表面氧化层,称量铜、锡、铝后熔炼得到合金锭,将合金锭切成金属片,除去金属片表面氧化层后置于KOH溶液中进行脱合金处理,制备得到具有纳米多孔结构的CuSn/CuSn复合电极。所述电极由CuSn和CuSn两种金属间化合物构成,具有分级多孔结构,其中包含孔径为100‑400nm的大孔通道和分布于大孔韧带上孔径为5‑50nm的介孔。本发明的所述复合电极的分级多孔结构以及异质界面处高效的电荷转移能够有效降低局部电流密度、引导锌离子均匀沉积、抑制枝晶生长,提升反应动力学和结构稳定性,将其作为负极应用于水系锌离子电池,能够显著提升电池的循环寿命和倍率性能。

External Resources