一种单晶硅制备中坩埚投料的方法及应用

本发明提供了一种单晶硅制备中坩埚投料的方法及应用，涉及半导体材料制造技术领域。具体而言，当坩埚内颗粒硅的装料量≤200kg时：先在坩埚底部装入小料，而后在所述小料的上部中间处装入颗粒硅，再在所述颗粒硅与坩埚壁之间填充块状硅，最后在所述颗粒硅的上部平铺所述块状硅；当坩埚内颗粒硅的装料量＞200kg时：先在坩埚底部装入小料，而后在所述小料的上部平铺颗粒硅，最后在所述颗粒硅的上部平铺小料；另外，控制复投阶段的氩气流量高于所述初装阶段的氩气流量。本发明能够有效减少初装投颗粒硅过程中溅射现象，通过改进装料方式、优化加热过程及控制熔体状态等措施，显著减少了颗粒硅的溅射，提高了单晶硅的质量。