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Dossier
一种发光波长可调谐的快衰减氧化镓晶体及其制备方法与应用
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10Claims · 3 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
唐慧丽; 黄林; 徐军; 刘波; 张超逸; 孙鹏; 房前成; 张晨波; 王庆国
IPC Classification
C30B 29/16 (2006.01)C30B 13/10 (2006.01)C30B 15/34 (2006.01)C30B 11/04 (2006.01)H10F 77/12 (2025.01)H10F 30/22 (2025.01)
本发明涉及一种发光波长可调谐的快衰减氧化镓晶体及其制备方法与应用，该晶体为In、Si共掺氧化镓晶体，其化学组成表示为β‑GaO:xIn,ySi，其中，x=10 at%~30 at%，y=0.05at%~0.5 at%。与现有技术相比，本发明提供的β‑GaO:In,Si双掺杂氧化镓晶体具有结晶度高、发光衰减时间快、发光波长可调谐、导电性高等优点，在波长可调谐光电二极管、高功率器件、紫外探测器和时间分辨辐射探测领域展现出良好的应用前景。
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