用于抑制辐照诱生缺陷的碳化硅外延片、制备方法及应用

本申请公开了用于抑制辐照诱生缺陷的碳化硅外延片、制备方法及应用，属于半导体材料技术领域，碳化硅外延片包括：以n型或p型碳化硅片为衬底，衬底上外延生长有IV族原子掺杂的外延层。制备方法包括：将n型或p型碳化硅片进行清洗；将清洗后的碳化硅片置于外延生长设备中并保持真空环境；将真空环境升温，待温度稳定后通入甲硅烷、丙烷、氮气/携带三甲基铝的氢气，以及含锗、锡和铅中至少一者原子的气体；待碳化硅片生长出外延层。应用为采用上述的碳化硅外延片，用于生产抗辐照碳化硅功率器件。本申请能够有效地抑制辐照过程中碳化硅器件中碳空位的产生及由此造成的少子寿命退化，进而提高碳化硅外延片及其功率器件在粒子辐照应用下的可靠性。