一种在量子点薄膜上制备氮化硅保护层的方法

本发明公开了一种在量子点薄膜上制备氮化硅保护层的方法，包括以下步骤：将含有量子点层的器件固定在ICP‑CVD设备的反应腔室中，采用氨气作为等离子气体，对量子点层的表面进行真空等离子体预处理，预处理完后，通入SiH和N气体进行等离子气相沉积氮化硅保护层。本发明的方法先通过氨气对量子点层表面进行预处理，在不影响量子点层性能的前提下，可以降低量子点层与氮化硅层之间的接触势能，因而可以减少气相沉积过程中量子点层上的应力，而且可以提升量子点层和氮化硅层之间的结合强度，进而可以有效提升器件的综合性能。