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Dossier
一种同时抗总剂量与单粒子效应的反相器
InventionActive
5Claims · 1 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
中国工程物理研究院电子工程研究所
Inventor
刘珉强; 曾超; 钟乐; 王博博; 邹三泳; 肖国平; 张修瑜; 王方杰; 赵阳
IPC Classification
H03K 3/356 (2006.01)H03K 3/013 (2006.01)
本发明公开了一种同时抗总剂量与单粒子效应的反相器,采用主反相器与辅助反相器相结合,且主反相器由两个串联的PMOS管和一个NMOS管组成的结构设计。基于辅助反相器在主反相器NMOS源端提供一个电平补偿信号的方式,避免总剂量效应下的反相器输出高电平下降,及NMOS管受单粒子效应下的反相器输出电平从高到低的瞬态翻转;基于双PMOS结构设计的方式,避免单粒子效应下PMOS管的导通所引起的反相器输出电平从低到高的瞬态翻转。最终可实现总剂量与单粒子系统效应下的反相器稳定输出。
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