结型场效应晶体管器件结构

本发明涉及一种结型场效应晶体管器件结构，包括：衬底；浅槽隔离结构；阱区，至少部分位于浅槽隔离结构的下方、且至少部分位于衬底的上方；多个深槽结构，在导电沟道宽度方向上每隔一段距离设有一个，各深槽结构的深度大于阱区的深度，从而将阱区分隔为多个；深槽结构包括位于深槽槽壁的绝缘层、和位于深槽中且被绝缘层环绕包围的隔离区栅极；浅槽隔离结构包围各深槽结构；源极区，与阱区直接连接；漏极区，与阱区直接连接；浅槽隔离结构至少部分位于源极区与漏极区之间，各深槽结构位于源极区与漏极区之间；沟道栅极，位于源极区和漏极区之间的浅槽隔离结构上、且位于导电沟道表面上方。本发明能够在一个管芯中形成具有不同的截止电压的JFET。