半导体结构以及其形成方法

本发明公开一种半导体结构以及其形成方法，其中半导体结构包含一基底，一氧化层，位于该基底的一表面，一栅极电极，位于该基底上并且部分接触该基底，且部分该栅极电极位于该氧化层上，一第一场板，位于该氧化层上，一第一介电层，覆盖该栅极电极，一第二介电层，位于该第一介电层上，一第二场板，位于该第一介电层与该第二介电层之间，一第三场板，位于该第二介电层上，其中从一剖面图来看，该第二场板的一水平位置位于该第一场板的一水平位置以及该第三场板的一水平位置之间。