一种利用等离子体刻蚀设备的处理工艺

本发明公开了一种利用等离子体刻蚀设备的处理工艺，包含：将表面沉积了绝缘层的基片放置于等离子体刻蚀设备的反应腔内；通入刻蚀气体，在基片上表面形成凹陷结构；沉积步骤中包括多个工艺循环，每个循环包括交替进行的第一工艺步骤和第二工艺步骤，第一工艺步骤中通入的气体包括含硅气体，第二工艺步骤中通入的气体包括含氧或含氮气体中的任意一种；在第二工艺步骤中，含硅气体和含氧/含氮气体混合形成的沉积气体解离形成的等离子体在基片的凹陷结构内壁上沉积保护薄膜。本发明沉积的保护薄膜质量佳，节约了时间成本和生产成本。