一种集成双高导热衬底的光电探测器芯片及其制备方法与应用

本发明公开了一种集成双高导热衬底的光电探测器芯片及其制备方法与应用。所述光电探测器芯片包括金刚石衬底、金属电极、光电探测器有源区、钝化层和SiC衬底；先在InP半绝缘衬底上生长光电探测器外延层；将所得InP外延片倒装键合至SiC高导热衬底；剥离InP衬底，制备探测器光电转换功能区；最后倒装键合至金刚石高导热衬底得光电探测器芯片。本发明通过集成SiC与金刚石双高导热衬底，采用上下双通道散热设计，有效降低了器件在大功率工作条件下的结温，提升了热失效阈值，从而显著提高了光电探测器的饱和输出功率。