一种基于一维卤化物钙钛矿半导体的X射线面阵成像器件及其制备方法

本发明属于半导体X射线探测领域，公开了一种基于一维卤化物钙钛矿半导体的X射线面阵成像器件及其制备方法。该器件包括一维卤化物钙钛矿半导体层、设置于一维卤化物钙钛矿半导体层一侧的共用电极，设置于一维卤化物钙钛矿半导体层另一侧的像素化电极，以及与像素化电极匹配连接的读出电路；一维卤化物钙钛矿半导体层为单晶材料，且一维卤化物钙钛矿半导体的(100)晶面与像素化电极接触。本发明的X射线面阵成像器件采用具有一维晶体结构的卤化物钙钛矿半导体单晶作为X射线吸收和电荷传输材料，利用一维链状结构定向传输载流子的独特各向异性电学特性，有效抑制电荷向相邻像素的横向扩散，从而大幅降低横向电学串扰，实现超高空间分辨率。