GaN外延膜的制造方法及半导体器件的制造方法

本发明是一种GaN外延膜的制造方法，其特征在于，通过包含以下步骤来制造位错密度为1.0×10/cm以下的所述GaN外延膜：准备步骤，准备厚度小于1mm的支撑基板，其直径为150mm以上，并且由氮化物陶瓷所构成的芯被密封层密封；基板制造步骤，在所述支撑基板上依次层叠平坦化层和由SiC单晶所构成的晶种层，而获得外延生长用基板；及外延步骤，在所述外延生长用基板上生长厚度为7μm以上的GaN外延膜。由此，提供一种GaN外延膜的制造方法，其能够通过低成本且简易的工艺来生产一种位错密度为1.0×10/cm以下的GaN厚膜，该GaN厚膜为大直径，并且无翘曲、龟裂。