成膜方法和成膜装置

成膜方法包括下述步骤(A)~(C)。步骤(A)，准备基板，该基板在表面的不同区域具有第一膜以及由与所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜。步骤(B)，相对于所述第一膜的表面选择性地在所述第二膜的表面形成用于阻碍对象膜的形成的成膜阻碍膜。步骤(C)，使用所述成膜阻碍膜，相对于所述第二膜的表面选择性地在所述第一膜的表面形成所述对象膜。所述对象膜至少包含硅(Si)和氧(O)。所述步骤(C)包括：步骤(Ca)，对所述基板的表面供给含金属催化剂的气体；步骤(Cb)，在所述步骤(Ca)之后，对所述基板的表面供给等离子体化后的气体；以及步骤(Cc)，在所述步骤(Cb)之后，对所述基板的表面供给含硅烷醇基的气体。