一种低孔隙碳化硅多晶半导体衬底及其烧结制备工艺

本发明公开了一种低孔隙碳化硅多晶半导体衬底及其烧结制备工艺，属于第三代半导体材料制备技术领域。所述工艺包括：将特定质量比的两相SiC粉体与烧结助剂球磨混合后喷雾干燥造粒；干压成型得到素坯；采用分段脱气工艺去除坯体内部气体；通过多段梯度高温烧结促进晶粒界面紧密衔接；最后匀速降温制得成品。本发明通过优化粉体复配比例与烧结曲线，实现了不同晶相晶粒界面的良好匹配，消除了界面壁垒，同时平缓释放了烧结应力。制备的碳化硅多晶衬底孔隙率≤0.5%，相对密度≥98.5%，翘曲度≤50μm，无微裂纹，性能优异。本发明采用常压烧结，工艺简单、成本低廉，适合工业化量产，可满足半导体器件对衬底质量的严苛要求。