一种基于壳体温度变化的多芯片IGBT模块健康状态监测方法

本发明涉及器件健康监测技术领域，公开了一种基于壳体温度变化的多芯片IGBT模块健康状态监测方法，包括：布置瞬态温度传感器，构成传感器阵列；注入窄脉冲电热激励信号，使热量以热波形式在模块内部传播；记录各传感器温度上升率首次达到峰值的时间点，并计算热波到达时间差值，构成时间差向量；与健康状态下的基准时间差向量进行比较，计算时间差偏移向量，并根据模值判断模块整体健康度；计算出老化点在模块壳体平面的投影位置，定位发生老化的芯片区域；根据健康度与预设健康度阈值的比较结果输出健康等级，同时输出老化芯片位置信息。本发明实现了多芯片IGBT模块老化芯片的精确定位，无需高压隔离，对早期老化敏感。