基于异质集成与掩埋式隧道结的光子晶体面发射激光器

本申请涉及半导体激光器领域，具体公开了一种基于异质集成与掩埋式隧道结的光子晶体面发射激光器，其包括III‑V族半导体外延层和与之异质集成的低折射率、高热导率衬底（如碳化硅），外延层中设有由深刻蚀空气孔组成的光子晶体结构，孔延伸至多量子阱有源层附近，还包括用于限制电流的掩埋式隧道结（BTJ）结构。本申请通过异质集成增强了垂直方向的光场限制，有效避免了传统二次外延填充带来的界面缺陷；碳化硅衬底的高导热特性补偿了深刻蚀引起的散热恶化；掩埋式隧道结结构将电流集中注入有源区，降低了串联电阻。本申请能够显著提升激光器的输出功率、模式稳定性及高功率下工作的可靠性。