存储装置及其制造方法

本发明提供一种存储装置及其制造方法。存储装置包含基板、第一堆叠结构、第二堆叠结构、至少一晶体管、以及金属绕线层。基板包含阵列区与周边区。第一堆叠结构位于阵列区。第一堆叠结构包含第一导电层、第二导电层及设置于第一导电层与第二导电层之间的绝缘层。第一导电层、绝缘层与第二导电层沿第一方向堆叠。第二堆叠结构位于周边区。至少一晶体管位于第二堆叠结构中。至少一晶体管具有沿第一方向堆叠的导电膜、介电膜和半导体膜。金属绕线层位于第一堆叠结构和第二堆叠结构上方。金属绕线层电性连接至少一晶体管、第一导电层和第二导电层。