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Dossier
横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
InventionUnknown
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10Claims · 2 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
电子科技大学; 无锡华润上华科技有限公司
Inventor
刘腾; 傅妤璟; 种世雄; 章文通; 何乃龙; 乔明; 张森; 张波
Filing Date
Apr 7, 2025
Publication Date
Oct 16, 2026
IPC Classification
H10D 12/00 (2025.01)H10D 12/01 (2025.01)H10D 84/01 (2025.01)H10D 84/80 (2025.01)H10D 84/00 (2025.01)
本发明涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法,横向绝缘栅双极型晶体管包括:发射区;P阱,发射区位于P阱中;集电区;N阱,集电区位于N阱中;漂移区,至少部分漂移区位于N阱与P阱之间;隔离槽结构,分段设置且沿横向绝缘栅双极型晶体管的导电沟道长度方向延伸,隔离槽结构在漂移区设有供两侧的漂移区连通的开口,P阱分布在所述隔离槽结构的两侧,N阱分布在所述隔离槽结构的两侧,集电区位于隔离槽结构的其中一侧;第一N型掺杂区,位于隔离槽结构的另一侧,第一N型掺杂区与集电区短路连接;栅极,位于发射区和集电区之间的区域上方。本发明在缩短电流拖尾时间的同时能够抑制电压折回现象。
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