半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆

本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该方法包括：提供半导体本体；半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括阱区、源区和第一区域，源区设置为第一导电类型，第一区域设置为第二导电类型，阱区设置为第二导电类型；第一表面设置有第一凹槽和第二凹槽，在厚度方向上，第二凹槽与第一凹槽连通设置，且具有第一侧面；第一侧面呈台阶状，暴露第一区域和部分源区；在第一表面形成栅极；在第一凹槽和第二凹槽内形成欧姆接触层，并在第一表面形成源极；欧姆接触层与第一侧面相接触。本申请实施例可有效缩小半导体器件的单胞尺寸，且保证器件具有良好的欧姆接触。