半导体器件及其制造方法、电子设备

本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件的制造方法包括：在衬底上依次形成第一信号线、覆盖第一信号线的第一绝缘层、以及第一占位结构；形成贯穿第一占位结构和第一绝缘层的第二通孔；在第二通孔内填充第二占位结构，并将第一占位结构替换成第二信号线，将第二占位结构替换成依次覆盖第二通孔内壁和第一信号线的半导体结构、栅绝缘结构和栅极，形成晶体管；或，在第二通孔内形成半导体结构、栅绝缘结构和栅极，半导体结构的顶端低于栅绝缘结构的顶端和第一占位结构的顶端，形成第一凹槽；在第一凹槽内填充第一介质结构，并将第一占位结构替换成第二信号线，形成晶体管。本申请实施例可有效提高半导体器件的性能。