集成电路器件

一种集成电路器件包括：多个沟道层，所述多个沟道层在第一水平方向上延伸并且包括第一沟道层和第二沟道层；栅极线，所述栅极线围绕所述多个沟道层，其中，所述栅极线包括布置在所述第一沟道层与所述第二沟道层之间的第一子栅极；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案布置在所述栅极线的侧壁上；以及沟道钝化层，所述沟道钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，其中，所述第一钝化层设置在所述第一子栅极与所述第一沟道层之间，并且所述第二钝化层布置在所述第一子栅极与所述第二沟道层之间。所述多个沟道层从所述栅极线的所述侧壁在所述第一水平方向上突出，并且所述多个沟道层包括过渡金属二硫属化物（TMD）。